service@serty.ru
7 (499) 350-61-21; 7 (903) 125-9-125; 7 (499) 503-10-79
serty-service

Новости

6 Августа 2014

Память RRAM может хранить до 9 бит информации в одной ячейке

Объёму той памяти, которой располагают современные смартфоны, мог бы совсем недавно позавидовать владелец любого стационарного ПК или ноутбука, рабочей станции или вообще сервера. С другой же стороны, 1-2 ГБ памяти – это просто мелочь в сравнении с новой разработкой специалистов при университете Райса.

RRAM – резистивные чипы памяти с произвольным доступом, превосходящие на сегодняшний день по плотности любую выпускаемую память. Важным моментом данной разработки является тот факт, что для изготовления RRAM пригодится имеющееся оборудование.

Способ изготовления резистивной памяти

Между изготовленными из золота электродами новой памяти располагается диэлектрик, представляющий собой оксид кремния. В данном диэлектрике сформированы ячейки памяти, в которых под воздействием напряжения разрушается или формируется проводящий канал. Состояние ячеек при этом также изменяется.
В университете Райса разработана память RRAM

Из-за того, что в изготовлении используется оксид кремния, существенно снижаются затраты электроэнергии во время перезаписи, повышается устойчивость памяти к нагреву, повторно используются опробованные на практике технологии. К примеру, затраты на энергию удалось снизить в 13 раз в сравнении с предыдущими образцами (напряжение питания теперь составляет 2 В).

Ученые университета Райса разработали память RRAM

Плотность памяти в несколько раз превосходит плотность flash-памяти. В RRAM ячейка также является многоуровневой, но, если для одной ячейки флэш-памяти отведено до 3-х бит, то в аналогичной ячейке RRAM-памяти может поместиться до 9-и бит информации.

Размеры такой памяти тоже впечатляют. Чип с размерами почтовой марки может вмещать до 1 ТБ информации.

В настоящий момент ученый университета Райса заняты вопросом лицензирования своей уникальной разработки.